成众志，1921年8月生，湖南湘乡人。中国科学院研究员。他在1943年6月以优异成绩毕业于重庆中央大学电机系，由系主任陈章教授推荐，1945年赴美留学1947年在哈佛大学电信工程系获硕士学位。后在RCA美国无线电公司工作期间提出晶体管等效电路的H参数，与电子学专家罗无念等合著《TransistorElectronics》, Prentice Hall, 1955年在美国出版，连续三次重版，成为国际上半导体电子学界的经典著作。 　　在美工作期间，成众志先生得知祖国召唤留美学者参加新中国建设，1953年即下定离美回国的决心，积极准备，等待机会，终于在1955年冲破美国政府的阻挠，绕道欧洲，举家（与母亲任瘦青和兄长成竟志一家）回到祖国首都北京。 　　成先生从赴美留学、工作前后正好十年。在著名实验室从事尖端科研，年富力强，功成名就的时候，他放弃优厚待遇，义无顾，报效祖国。1955年底开始在中科院应用物理所工作，任副研究员。 　　1956年上半年，成先生应邀参加国务院召开的《1956—1967年十二年科学技术发展规划》会议，规划中将计算机、电子学、半导体、自动化列为优先发展的“四项紧急措施”。他参加“电子学”、“半导体”两个规划小组，并亲自执笔编写“晶体管电子学”的规划内容。在国务院的招待会上，成众志受到周恩来总理和聂荣臻副总理的接见，亲切交谈，勉励有嘉，对此极为鼓舞，终身难忘。 周总理和聂副总理亲切接见成众志。
　　成先生到中国科学院工作，除了参加半导体研究所的筹建,还参加电子学研究所的筹建，兼任晶体管电子学室领导，直至该室正常运作后才卸任。成先生在物理所的固体电子学研究室担任主任，下设微波、毫微秒技术、数字计算机电路等有关新技术的研究组。 　　为了加速培训我国半导体科技人才，由中科院应用物理研究所举办全国性的半导体器件培训班，聘请前后从欧美回国的半导体物理、材料、器件、电子学专家授课，由成先生主讲《半导体电子学》课程。培训班为我国半导体学科培养出一批早期的专业人才，后来他们在半导体及相关领域中成为栋梁之材。 　　他还在《电信科学》、《物理通报》等刊物发表系列文章，向国内电子学界介绍半导体电子学专业知识，掌握晶体管电路的设计原理。同时撰写通俗读物以普及半导体相关知识。 　　他在《物理学报》、《电子学报》发表多篇学术性论文，推动有关电子学的研究和进展。他还参加“中国科技大学”的教学工作并任研究生导师。 　　 成先生一回国，便及时领衔合作翻译《TransistorElectronics》，作为大专院校有关专业的教材内容。中译本《晶体管电子学》1958出版，当时我国经历三年困难时期，至1962年的四年中,该书深受读者欢迎，进行了6次印刷，成为科技类别的畅销参考书。 　　他还参加中国电子学会的筹建，主持全国性专业学术会议，兼任所属电子线路和系统委员会副主任、《电子学报》编委。上世纪50年代全球科学技术迅猛发展工业发达国家开始从以真空电子管为基础的无线电时代，快速进入以晶体管为基础的固体电子学时代。然而，旧中国的无线电工业完全空白，新中国的无线电工业也非常薄弱。我国要在较低的起点和尽可能短的时间内，赶上国际先进水平，进入固体电子学时代，除了需要雄心壮志，还需要慎密的近期和远景计划。从制订“十二年科学规划”开始，成先生即大声疾呼，我国要发展半导体学科，除基础理论、材料、器件之外，还应有半导体电子学。1956年在成先生的倡议下，引起全国科研院所、高等院校、工业交通、通讯广播、航空航天、国防军事等部门对“半导体电子学”的重视。成先生的倡议和他进行的一系列具体工作，对我国“半导体电子学”的人才聚集和学科奠基，对我国迎头赶上国际先进电子科学技术，是何等及时和重要！ 　　1960年半导体所成立后，成先生负责筹建半导体电子学研究室，任研究室主任。在他的领导下，电子学室以机载雷达为应用着眼点，布局了半导体微波和高速脉冲两大方面的研究内容。 　　在微波方面，开设了半导体变容管的参量放大；半导体微波混频器等研究课题。 　　在高速脉冲方面，开设了半导体高速脉冲产生电路、晶体管取样示波器的研制课题；进行开关二、三极管的瞬态测量设备研究，主要应用于109乙机研制中的器件测量与性能研究。 　　为了半导体微波和高速脉冲电路的研究有高质量器件做保证。提出器件研制，测量和应用相结合，促进共同发展。组建了半导体微波器件研制组。前瞻性地开展金属半导体接触变频管，硅超突变结变容管，砷化镓变容管、Gunn氏管等两端器件的研制。此外，建立与器件研制相结合的器件阻抗和瞬态特性等测量的研究课题。成先生还带领研究生从事微波器件理论和应用的前沿研究，选择半导体微波倍频作为新课题。 　　1963年成先生提升为正研究员。在成先生领导下的电子学室从1963年开始取得了一系列重要成果，它们是： 　　开拓性研制成功我国第一台1000兆赫晶体管取样示波器（荣获1965年全国工业展览会测量仪器类二等奖），国内领先建立了纳秒级开关二极管反向恢复测量设备。在发现109厂器件具有阶跃恢复特性之后，领先开展阶跃管性能与应用研究，发表阶跃管新电路论文，不失时机地组织和启动了阶跃恢复二极管的研制；将器件机理、测量、新脉冲电路和微波倍频等相关的研究工作与国外同步、甚至超前地开展起来。因此，领先研制成功固体高重复频率脉冲发生器，差频取样器，阶跃恢复二极管，首创了固体微波源。 　　在器件方面，研制成功L、S波段变容管、变频管、与“10公分微波信标机”等651任务配套的高可靠性低次和高次倍频功率阶跃管。应地所651任务的多普勒遥测发射机专用阶跃管；以及支援所内外二十个研究单位所需的功率和超高速阶跃管。此外，为半导体所激光器研究室扩散砷化镓P-N结，参与制成我国第一只砷化镓激光二极管。器件研制取得的成果，充分证明成先生组建和指导半导体微波器件研制组工作的远见卓识。 　　在首创固体微波源的基础上，完成“10公分微波信标机”（我国第一颗人造卫星“东方红一号”中的跟踪测轨用重要部件）及其地面监测用锁相接收机的“651任务”。在此期间，还承担317空-空导弹任务，为无线电引信模块提供一个全晶体管化的实验电路，并完成模拟实验。 　　在成先生的指导下，经过1961-1969年的艰苦奋斗，出色地完成多项国家、院、所下达的重要任务，同时极大地提高我国固体微波和纳秒脉冲技术的水平。半导体所电子学研究室成为能够与国际水平接轨的科研基地；实际上已成为科研成果转化为航天电子产品的孵化器。为我国培养和造就了一支具备创新能力的、器件与应用相结合的、配套完的半导体整机电子系统的攻坚队伍。 　　半导体电子学室的精英们，十年磨剑，一当利刃出鞘，即划破长空，直指云霄！ 　　
1970年4月24日在酒泉基地，成功发射了我国第一颗人造地球卫星“东方红一号”。其中携带的高精度与高稳定度微波信标机，是卫星跟踪测轨用信号源，其特点是包含温控晶振稳频和阶跃管倍频的固体微波源，使之具有当时国际领先水平。它的优越性能和全程零故障工作，地面的引导雷达得以顺利地接收到卫星运行的微波多普勒频移信号。 　　回顾1966年中科院在卫星方案制定中，张劲夫同志在“中国第一颗人造卫星是怎样上天的”一文中这样写道：“发射卫星最重要的是地面跟踪测轨问题。赵九章所长说过，试想一颗几米尺度的卫星送上轨道后，就像几公里之外的一只苍蝇，如果不能紧紧抓住，如何去找它？因此，发射卫星，首先要把卫星运行规律、轨道计算、测量、预报以及跟踪站的布设等搞得一清二楚。科学院理当把此任务承担起来，先走一步。他请数学所关肇直所长立即组织人员落实此事。1966年1—3月，在651设计院组织有关专家对短弧段跟踪定轨进行大量模拟计算和分析研究的基础上，肯定多站多普勒独立测轨的方案，使我国中低轨道卫星的跟踪测轨系统形成中国自己的特色。3月22—30日，在北纬饭店召开地面观测系统方案论证会，审定了各分系统的方案。不久，在4月召开的两次轨道选择会议上，根据实际需要和可能，与会者一致作出了将轨道倾角从40度左右增大到70度左右的结论，不仅根本改善了卫星轨道的总体性能，而且可节省地面站建设的大量投资”。大家一致同意中国第一颗卫星在重量、寿命、技术等方面，都要比苏、美第一颗卫星先进，并做到“上得去、抓得住、测得准，报得及时，听得到、看得见”。 　　1970年4月24日21时35分用“长征一号”运载火箭(CZ-1)载着“东方红一号”卫星从中国西北酒泉卫星发射中心发射升空，21时48分进入预定轨道。卫星上天后不久，就被地面的跟踪台站抓住了。起飞后14分16秒，东风计控中心计算出了卫星的初轨......在“抓得住、测得准，报得及时”方面，“微波信标机”在系统中做出了重要贡献，圆满完成了预定任务。 　　由于微波信标机的出色工作，研制组的代表，应邀上天安门城楼与党和国家领导人一起参加大会。这无疑是当时对该任务的最高奖励。 　　1971年3月发射的“实践一号”科学卫星，其中的“微波信标机”，仍沿用上交五台正样机中的另一台。这是经过一年的存储之后，仍然能够长期有效工作。再次检验和证明了该机的重复性和高可靠性！ 　　1986年“东方红一号卫星总体”获国家科技进步特等奖，“微波信标机”是星上性能与可靠性甚优的关键部件，是国际上第一个上天的“固体微波源”。 　　中科院特将“微波信标机”作为单列项目载入军工史册。 　
　成先生在后来的《研究工作简报》中这样简练地写道：“通过所室建立后，60年代深入工作。转入‘出人才，出成果’的丰收阶段。” ...... 　　成先生在“文革”一开始就受到冲击。较长时期受到审查，影响了他直接参加上述“651”工作。正当我国第一颗人造卫星在太空遨游，奏响“东方红”乐曲，他引领电子学室取得的创新成果，在卫星的跟踪测轨系统中以优异的成绩，彰显于全世界的日子里，成先生才得到相当程度的自我心理安慰。 　　1967年半导体所划归国防科委第14院管辖，名为1420所，对外京字29部队编号。1970年1420所完成研究室调整，新成立五室（半导体微波器件研究室）与六室（半导体电子学应用仪器研究室）。 　　“文革”结束之后，半导体所恢复中国科学院建制，成先生恢复工作，担任五室主任。先生不因“文革”所受打击而有任何松懈，严于律已，认真负责。 　　20世纪70年代初，半导体器件技术处于高速展时期,由于半导体新材料，包括异质结材料生长技术的成熟，利用半导体中雪崩击穿、俘获等离子体碰撞、耿氏畴等渡越时间效应，半导体器件进入高速高频阶段—微波、毫米波阶段。 　　成先生1970年以来在五室，及其“文革”后担任室主任两年期间，他平易近人、实事求是，深入了解有特色课题组的具体工作，尊重并发挥骨干科研人员的积极性，经过较全面的调研，共同拟出了以毫米波、亚毫米波器件及其应用为微波半导体发展的前沿，获得了上级主管领导的批准与支持。 　　成先生在学科发展上高瞻远睹，并紧密结合国内军工和民用需要，研究课题涉及到：各种微波毫米波固态大功率源(包括TRAPATT、IMPATT振荡器、Gunn氏器件和异质结器件等)、毫米波亚毫米波接收器件(包括混频器及检波器、电调变容管、PIN开关管、8mm低噪声MESFET、HEMT、HBT及超导器件等)及有关器件的物理研究。这些课题的设置和日后的进一步完善，奠定了微波室后来能顺利发展的技术础。 　　经过五室同仁十多年来的艰苦奋斗和不懈努力，一项成果被成功地用到8mm制导样机系统的试验中，一项成果被用于微波治疗机。课题成果先后获得科技成果奖和科技进步奖16项，其中1等奖2项，2等奖8项，3等奖5项，重大成果奖1项。获批发明专利1项。发表学术论文近百篇。 　　这些成果的取得与当年成先生精心引导的研究方向和谆谆教导的长者风范分不开。成先生和蔼可亲的音容笑貌，讨论工作时的认真负责，科技外事交流中的有礼有节和不卑不抗的作派,都给我们留下了难以磨灭的回忆。 　　从1956年—1978年，从制定“四大紧急措施”开始，成先生积极参加我国半导体事业的开拓与发展，在半导体所的筹建中，是五位元老级科学家之一；是我国半导体电子学学科的奠基人和开拓者；在此神圣的事业中，勤恳奋斗了二十二年。在我国半导体事业“万事起头难”的重要阶段，无论是人才培养、学科奠基还是科研成果及其应用方面，都做出了不可磨灭的贡献，成先生的鼎盛年华已经无私地献给了新中国的科技事业。 　　1978年中成先生得到中科院院领导的特别批准到香港养病，1981年正式退休。后来，应王安计算机公司董事长王安的聘请担任高级网络顾问，并在美国定居。在美国期间，成先生一有机会即回来与老朋友和后辈相聚，继续关心国家科技事业的发展。 90年成先生（前排右4）回所里重聚，直至当今90高龄，先生眼不花、耳不聋，讲话仍然幽默、风趣，谈吐自如、思绪不乱。正计划着做一些对国家有历史意义的事。 　　2010年10月12日，成先生的老同事、老部下自发地聚会为他90华诞祝寿时，想到先生“文革”当年受到的伤害，还能有如此好的身体？问他长寿的秘诀？他说，我多记别人的长处，不记别人的短处。 　　2010年10月26日，应邀回访半导体所时，他仔细地观看“微波信标机”展台，深情地说，这一仗打得很漂亮！还关心半导体所在创新方面的成果。着重关注我国纳米科技的进展，拟推荐高端学者回来为国效力。他赞赏国家改革开放后取得的巨大成就，他以博大的胸怀，想在国内多住时日，为国家的兴旺发达再做自己应有的贡献。 　　今天我们的国力，较之上世纪五十年代，已有极大的发展和变化，在国际上处于强手如林的前列。我国的科技事业，因为国家科技发展规划的正确指引，和上世纪50年代回国的一批爱国科学家的参与，才得以迅速发展起来。而《半导体电子学》这个领域的开辟，则与成先生的贡献息息相关。在此时刻，我们不应忘记像成先生那样，在中国一穷二白时，雪里送炭，为祖国科技发展做出过重要贡献的科学家。 　　正如陈兴信同志所说，成先生在那样困难的时候，能够回到中国来，是很难设想的事。他丢掉国外的优厚待遇，回来的目的就是要建立中国的半导体工业和半导体科技。他是我国半导体电子学的开创者、播种人和促进者。现在是桃李满天下，到处都有他的学生。祝先生活得更好，万事如意。“福如东海长流水，寿比南山不老松”。

中科院前右四为成众志

成竟志教授

成本祥提供资料

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

分享按钮>>【黄氏名人】第一位美籍华人好莱坞影星--黄柳霜
>>万家姓网总裁房恒贵先生到河南调研姓氏文化