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第 51 楼 |
| 昝育德 中国科学院半导体研究所高级工程师。男，1939年6月出生，山西大同人。1965年毕业于天津南开大学物理系。1965年8月至今任职于中国科学院半导体研究所新材料中心。主要业绩：专业特长：晶体生长、材料物理、电子学及相关设备加工。参加工作后，合作从事区域熔化提纯硅，完成了国家下达的多次区熔后，硅单晶电阻率、少数载流子寿命双过千的单晶生长任务。后独立开创了以下三方面的工作：从异质外延界面结合能考虑，提出蓝宝石上异质外延硅（硅/蓝宝石或SOS）的成核半径小于硅/尖晶石，SOS薄膜的质量要高于硅l尖晶石，重新点起探讨SOS异质外延的火花。接着校正了国内蓝宝石的晶向相图，继之克服了蓝宝石硬度大、难加工的困难，进行了切割、研磨、抛光，研制出适合制作SOS－CMOS的完美晶体表面，即原子面平的蓝宝石表面。其后制订了一套完整的切磨抛工艺以及检测手段，使蓝宝石切磨抛成为SOS加工工艺的成熟工序。同时，自加工了不锈钢硬接外延系统。从此，SOS研究组的研究走上正规。80年代中期研制出适合制作SOS－CMOS器件研制的SOS薄膜，通过了所级鉴定。其后，中国科学院半导体研究所SOS－CMOS器件研究成为国内一项独立的工艺体系，完成国家下达的长寿命卫星用CMOS集成电路、抗辐照加固CMOSISOS集成电路等，获中国科学院科技进步二、三等奖。受材料室委托独立设计并加工一台水平、常压MOVPE设备，完成Gase单晶外延生长，通过了所级鉴定，至今被材料开放实验室用于外延生长蓝光GaN膜。负责承担"八五"国家重大基金项目，设计加工一台低压、超高真空兼用立式MOCVD设备，并用其研制出双异质外延Si/γ-AI2O3/Si薄膜。退休前半导体所微电子中心用St/γ－AI2O3/Si薄膜研制出MOS单管和CMOS六倒相器电路。发表文章《蓝宝石-硅和尖晶石-硅界面层宽度的俄欧分析》、《硅的位错核心结构无悬挂键》、《γ-AI2O3/Si薄膜高真空MOCVD异质外延生长》、《半导体制冷恒温浴槽》等。
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| 作者：221.13.18.* （2009/1/7 0:39:34） |
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第 52 楼 |
《半导体学报》1998年12期 加入收藏 获取最新
γ-Al_2O_3/Si(100)薄膜高真空MOCVD异质外延生长
昝育德;王俊;韩秀峰;王玉田;王维民;王占国;林兰英
本文作者在自己组装的立式ＭＯＣＶＤ设备上，成功地应用高真空生长技术，于１０５０℃的高温条件下，在硅上外延生长了γ－Ａｌ２Ｏ３薄膜．从ＲＨＥＥＤ看到（１００）硅上生长的薄膜是（１００）立方单晶γ－Ａｌ２Ｏ３的衍射图样；平移样品，图样并不发生变化．Ｘ射线双晶衍射看到，除了硅的（４００）峰和（２００）峰以外，只在２θ为４５°处有一个低而宽的小峰．ＸＰＳ谱给出氧的１ｓ峰位为５３２．３ｅＶ，Ａｌ的２ｐ峰位为７５．４ｅＶ，将他们与α－Ａｌ２Ｏ３比较，对应峰位移动了约３．５ｅＶ．俄歇谱说明其铝氧组分比近于γ－Ａｌ２Ｏ３．说明在我们实验室里确实长出单晶γ－Ａｌ２Ｏ３薄膜，与衬底的结晶关系是（１００）γ－Ａｌ２Ｏ３／／（１００）Ｓｉ，［０１０］γ－Ａｌ２Ｏ３／／［０１０］Ｓｉ．
【作者单位】：中国科学院半导体研究所
【基金】：国家计委“八五”重大基金,国家计委“九五”重大基金
【分类号】：TN304.054
【DOI】：cnki:ISSN:0253-4177.0.1998-12-001
【正文快照】：
１引言蓝宝石外延硅（ＳＯＳ）是绝缘衬底上外延硅（ＳＯＩ）最好的成功例子，用它制作的器件优点很多，如集成度高、速度快、功耗低、无自锁效应和抗辐照等，一般材料无可比拟．但蓝宝石硬度大、难加工，用ＳＯＳ制作的器件成本高，难以在普通民用工业中广泛应用，因而限制了
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| 作者：221.13.18.* （2009/1/7 0:46:54） |
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第 53 楼 |
上海崇明中学化学特级教师 昝泰昌
《化学教学》1982年01期 加入收藏 获取最新
阿佛加德罗常数的测定——水电解法
昝泰昌,卢耀棠
<正> 一、实验装置利用两支酸式滴定管(25毫升)和三个“T”字形三通管,装配成一套电解水的简易装置,电极利用实验室中的铅粒经熔融后,铸成两根铅电极,整个实验装置如下:
【作者单位】：上海崇明县崇明中学 (昝泰昌);崇明县崇明中学(卢耀棠)
【DOI】：cnki:ISSN:1005-6629.0.1982-01-015
【正文快照】：
一、实验装置 利用两支酸式滴定管(25毫升)和三个“T”字形三通管,装配成一套电解水的简易装置,电极利用实验室中的铅粒经熔融后,铸成两根铅电极,整个实验装置如下: 二、实验操作 1.电解质溶液为l％硫酸溶液。先将滴定管活塞开启与大气相通,随即从玻璃漏斗灌入1％Ⅱ。$01溶液,使滴定管中的液面高出活塞上部(注意管中不能留有气泡),然后关闭活塞,将玻璃漏斗安置好(要高于滴定管的活塞以上),观察滴定管中的液面有无升降现象如无升降,证明不漏气方可做实验。 2.接通电源、电解、五、六分钟后,开启活塞,将所产生的氢气和氧气全部放空后,关闭活…
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| 作者：58.16.104.* （2009/1/12 0:16:06） |
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第 54 楼 |
| 当代古生物学专家----昝淑芹（长春） [题名]：吉林省中部早白垩世泉头组一原始鸟脚类恐龙
[TiMing]：JiLinShengZhongBuZaoBaiZuoShiQuanTouZuYiYuanShiNiaoJiaoLeiKongLong
[关键词]：吉林中部;早白垩世;泉头组;鸟脚类恐龙
[作者]：昝淑芹;陈军;金利勇;李涛
[期刊名称]：古脊椎动物学报
[QiKanMingCheng]：GuJiZhuiDongWuXueBao
[出版年]：2005.3
[国际标准刊号]：1000-3118
[国内统一刊号：]：11-1905
[作者单位]：吉林大学博物馆，长春130026
[ZuoZheDanWei]：JiLinDaXueBoWuGuan，ChangChun130026
[分类号]：Q915.864[页码]：-182-193
[摘要]： 报道了在松辽盆地白垩纪沉积中首次发现的原始鸟脚类恐龙化石，并根据其头部特征建立一新属新种——娇小长春龙(Changchunsaurus parvus gen．et sp．nov．)。化石产于吉林省公主岭市刘房子镇山前泉头组上部紫红色含砾泥质砂岩中，同一层位还产有兽脚类、鳄类、恐龙蛋、哺乳类等化石。娇小长春龙是一种混合了原始的和衍生性状的小型鸟脚类恐龙。它具有某些比多数鸟脚类和头饰龙类要原始的特征，例如，5颗前上颌齿、前上颌骨吻部只有很短一段齿缺、前上颌骨与上颌齿之间的间隙较小、颊齿两侧的釉质对称、前上颌骨腹侧边缘与上颌骨腹侧边缘基本处于同一水平线等。同时，娇小长春龙也具有一些与真鸟脚类类似的进步特征，比如眶前孔小、外下颌孔缺失。娇小长春龙具有颧骨突，这在鸟脚类恐龙中较为罕见，它的颧骨突表面具有鲕状构造，这一特征未见于其他已知鸟脚类。娇小长春龙的前齿骨形态与角龙类接近，腹支明显长于侧支，前齿骨与齿骨的愈合方式同角龙类相似。娇小长春龙的确切系统分类位置需要进一步的工作来确定。
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| 作者：58.16.100.* （2009/1/12 16:15:04） |
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第 55 楼 |
| 古生物学专家----昝淑芹（长春） 吉林省公主岭早白垩世泉头缍网形蛋（Dictyoolithus）一新科吉林大学学报：地球科学版论文
【题名】：吉林省公主岭早白垩世泉头缍网形蛋（Dictyoolithus）一新科吉林大学学报：地球科学版论文(JiLinShengGongZhuLingZaoBaiZuoShiQuanTouZuoWangXingDan（Dictyoolithus）YiXinKeJiLinDaXueXueBao：DiQiuKeXueBanLunWen)
【关键词】：吉林省公主岭 早白垩世 泉头组 恐龙蛋
【keywords】：JiLinShengGongZhuLing ZaoBaiZuoShi QuanTouZu KongLongDan
【作者】：王强,昝淑芹[2,3] 金利勇,陈军, 【来源】： 知识词典
【期刊名称】：吉林大学学报：地球科学版(JiLinDaXueXueBao：DiQiuKeXueBan)
【国际标准刊号】：1671-5888 【国内统一刊号】：22-1343
【作者单位】：[1]吉林大学地球科学学院,长春130061 [2]吉林大学博物馆,长春130026 [3]中国地质博物馆,北京100031([1]JiLinDaXueDiQiuKeXueXueYuan,ChangChun130061 [2]JiLinDaXueBoWuGuan,ChangChun130026 [3]ZhongGuoDiZhiBoWuGuan,BeiJing100031)
【分类号】：Q915.86 【页码】：-153-157 【出版年】：2006.2
报道了吉林省公主岭早白垩世泉头组发现的一窝恐龙蛋化石。蛋化石近圆形，蛋壳厚度1．4～1．7mm，蛋壳外表面均匀分布椭圆形或圆形大小不一的凹坑；蛋壳层由2、3个呈分树枝状的基本结构单元叠加而成，蛋壳基本单元之间气孔道阔大而不规则，靠近蛋壳外表面的基本结构单元相互连姑、融合形成一层相对致密的薄层。据以上特征将其归为网形蛋科（Dictyoolithidae），网形蛋属（Dictyoolithus），定为一新种：公主岭网形蛋（Dictyoolithus gongzhulingensis oosp.nov）。公主岭网形蛋是网形蛋类化石在中国东北地区的首次发现，同时也是早白垩世地层中网形蛋化石新的发现。
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| 作者：58.16.100.* （2009/1/12 16:19:52） |
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