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第 46 楼 |
中国科学院半导体专家昝育德高级工程师发表的相关论文
《半导体学报》1997年08期 加入收藏 获取最新
借助硅片减薄重掺硅间隙氧含量低温(10K)红外测量
王启元,王俊,韩秀峰,邓惠芳,王建华,昝育德,蔡田海,郁元桓,林兰英
本文首次报道了一种新颖的重掺硅中间隙氧含量测量技术，通过硅片减薄并采用低温红外透射测量，明显降低了重掺硅自由载流子吸收的严重干扰，提高了红外吸收峰信噪比，在1136cm－1附近得到了明显的Si－O键红外吸收峰，从而可以准确地测量重掺硅间隙氧含量．实验结果表明：该测量方法具有很高的测量准确度和更宽泛的电阻率应用范围．对于重掺n型硅，其测量应用范围可扩展至电阻率1×10-2Ω·cm（自由载流子浓度高达4×1018cm－3）．
【作者单位】：中国科学院半导体研究所!北京;100083;中国科学院半导体研究所!北京;100083;中国科学院半导体研究所!北京;100083;中国科学院半导体研究所!北京;100083;中国科学院半导体研究所!北京;100083;中国科学院半导体研究所!北京;100083;中国科学院半导体研究所!北京;100083;中国科学院
【分类号】：TN21
【DOI】：cnki:ISSN:0253-4177.0.1997-08-004
【正文快照】：
＿ry旦回JL回IMIC7氧是直拉CZ硅单晶中最主要的杂质之一．硅中间隙氧不仅影响硅单晶片的本征吸杂能力而且直接影响硅片的机械强度和诸如电阻率、热施主等电特性．随着CMOS集成技术中P／P”、N／N”硅外延片广泛使用，人们经常采用本征吸杂技术以改进硅外延片质量和IC器件成品率［‘j，因而重掺硅衬底中氧含量及氧行为在技术上尤为关键．特别是本征吸杂效率以及硅片的的机械强度都与硅中间隙氧含量有关，因此在VLSI和ULSI集成技术应用中重掺硅中间隙氧含量精确测量和控制变得十分重要．间隙氧含量是影响本征吸杂行为重要参数，近…
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| 作者：221.13.18.* （2009/1/7 0:05:05） |
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第 47 楼 |
中国科学院半导体专家昝育德高级工程师发表的相关论文
《半导体学报》1998年06期 加入收藏 获取最新
硅的位错核心结构无悬挂键
昝育德
本文应用物理学平衡状态下能量最低的基本原理，通过分析透射电镜晶格象，制作了９０°、３０°分位错及Ｃｏｔｅｒｌ位错等一系列的模型，说明硅中位错核心无悬挂键
【作者单位】：中国科学院半导体研究所
【分类号】：O772,TN304.120.1
【DOI】：cnki:ISSN:0253-4177.0.1998-06-001
【正文快照】：
１引言蓝宝石上外延硅（ＳＯＳ）异质外延材料已很成熟，用其制作的ＳＯＳ－ＣＭＯＳ集成电路优点很多：高集成度、快速度、抗辐照等．但是，它的漏电流大，一般把它归结为铝的自掺杂和微孪晶．作者在区熔提纯单晶硅工艺中发现，同来源的多晶硅材料经过多次提纯以后，同样提纯
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| 作者：221.13.18.* （2009/1/7 0:15:52） |
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第 48 楼 |
《半导体学报》1999年06期 加入收藏 获取最新
《Ramping热退火直拉重掺锑硅衬底片的增强氧沉淀》
王启元;王俊;韩秀峰;邓惠芳;王建华;昝育德;蔡田海;郁元桓;林兰英
本文报道了一种改进本征吸杂技术——低温短时热退火工艺，以增强本征吸杂效果．在本征吸杂工艺的低温热退火中，用连续的线性缓慢升温（Ｒａｍｐｉｎｇ）退火替代常规的长时间低温恒温退火，应用于直拉（ＣＺ）重掺Ｎ型硅衬底片，明显增加了氧沉淀等体微缺陷密度，这些高密度氧沉淀物在随后ＩＣ器件热工艺中继续长大，成为稳定的高效本征吸杂中心．从经典的成核沉淀理论，讨论了Ｒａｍｐｉｎｇ热退火重掺硅衬底片增强氧沉淀机理．
【作者单位】：中国科学院半导体研究所
【分类号】：O474,O474
【DOI】：cnki:ISSN:0253-4177.0.1999-06-003
【正文快照】：
１引言本征吸杂（ＩＧ）技术已被广泛应用于提高ＬＳＩ器件成品率［１］．这是由于硅片热退火后，表面形成一层洁净的有源层，而远离有源区的基体内形成高密度的氧沉淀和堆垛层错等体缺陷．这些体缺陷可作为有效的杂质吸除中心，消除整个ＩＣ器件工艺中引入的有害杂质和表面缺
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| 作者：221.13.18.* （2009/1/7 0:22:46） |
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第 49 楼 |
《半导体学报》1984年06期 加入收藏 获取最新
蓝宝石-硅和尖晶石-硅界面层宽度的俄歇分析
佘觉觉,曹大年,王维明,昝育德,邓惠芳,王建华,郁元桓
本文分析了用俄歇电子能谱仪结合氩离子溅射测量绝缘衬底与半导体外延层之间的界面时遇到的样品带电效应并提出了与此有关的在实验中获得正确信息的方法,在此基础上得到了良好的俄歇剖面图.研究了外延温度,生长速率,退火温度对界面层宽度的影响.根据绝缘衬底上硅异质外延过程中成核与生长的特征讨论了实验的结果。比较了蓝宝石-硅与尖晶石-硅的界面宽度,认为它们的差异可归之于衬底与外延硅之间的结晶学关系对成核密度的影响。
【作者单位】：中国科学院半导体研究所 (佘觉觉;曹大年;王维明;昝育德;邓惠芳;王建华);中国科学院半导体研究所(郁元桓)
【DOI】：cnki:ISSN:0253-4177.0.1984-06-002
【正文快照】：
一_引吉 、丫.卜J 蓝宝石(a一Al夕3)或尖晶石(MgA12O.)上外延生长硅单晶薄膜除了表面存在si-510:界面外,还存在一个衬底与硅外延层之间的界面.这个界面的存在无论对材料或器件的性能都会带来显著的影响.很多作者〔,一们认为蓝宝石一硅,尖晶石一硅界面层是一个具有一定厚度的过渡层,它的形成是与外延过程中未被硅完全覆盖的衬底与反应组分之间的化学反应有关,而界面层的宽度则与衬底表面刚好被硅完全覆盖时的覆盖层厚度有关,因为衬底表面被完全覆盖后这种反应也就停止了.Cullen和Dougher甲,],corbo产,曾分别用扫描电镜(sEM)观察尖晶石和…
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| 作者：221.13.18.* （2009/1/7 0:27:34） |
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第 50 楼 |
化学气相淀积反应管日期:2008-07-06
发明人
陆大成;汪度;昝育德;刘祥林
地址
100083北京市清华东路肖庄
概述
本实用新型公开了一种用于半导工艺、具有全平滑侧壁的卧式矩形化学气相淀积反应管。这种反应管的扩展区两侧壁面与其矩形反应区两侧壁面之间有缓曲的界面。它可以避免在反应管内形成离壁返回涡流，为确保淀积层的质量控制创造了良好的条件。 要害点
一种用于半导体工艺的卧式矩形化学气相淀积反应管，其特征为，在反应管的扩展区两侧壁面与其矩形反应区两侧壁面之间有缓曲的界面。
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| 作者：221.13.18.* （2009/1/7 0:30:29） |
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