| |
回复:昝姓发表各种类论文、著作 为社会科学发展贡.. |
第 41 楼 |
中国科学院半导体专家昝育德高级工程师发表的相关论文
《半导体学报》1999年08期 加入收藏 获取最新
半导体致冷恒温浴槽
昝育德,李瑞云,王俊,林兰英
本文介绍一种用半导体致冷器件制作的恒温槽．该装置采用了高精度温控仪，磁耦合搅拌器以及适当的保温材料．可以很方便地将容器内液体介质及被控部件控制在－ ３０°～５０℃之间，其精度小于 ００５℃．它可以广泛地应用于半导体工业及其他要求高精度恒温控制的装置中
【作者单位】：中国科学院半导体研究所!北京100083
【DOI】：cnki:ISSN:0253-4177.0.1999-08-021
【正文快照】：
ＰＡＣＣ：０６７０，０７２０； ＥＥＡＣＣ：８４６０１ 引言在气相外延系统中，常常使用液体反应源．通过载体气体携带源蒸气进入反应室，发生热化学反应，让反应产物沉积在衬底上．通常要求参与反应的源流量保持在一个恒定值．参与反应的液体源蒸气的流量不但与携带气体流量有关，而且与源液的饱和蒸气压有关．控制反应源的流量的简单方法是用质量流量计测出携带气体的流量以及源瓶之后的携带气体与源蒸气的混合气体的质量流量，通过计算机系统算出源蒸气的流量，将其与给定值进行比较用其差值控制携带气体的流量和（或）控制源瓶压力…
|
|
| 作者：221.13.18.* （2009/1/6 23:48:56） |
回复此贴 |
|
| |
回复:昝姓发表各种类论文、著作 为社会科学发展贡.. |
第 42 楼 |
《半导体学报》1998年12期 加入收藏 获取最新
γ-Al_2O_3/Si(100)薄膜高真空MOCVD异质外延生长
昝育德,王俊,韩秀峰,王玉田,王维民,王占国,林兰英
本文作者在自己组装的立式ＭＯＣＶＤ设备上，成功地应用高真空生长技术，于１０５０℃的高温条件下，在硅上外延生长了γ－Ａｌ２Ｏ３薄膜．从ＲＨＥＥＤ看到（１００）硅上生长的薄膜是（１００）立方单晶γ－Ａｌ２Ｏ３的衍射图样；平移样品，图样并不发生变化．Ｘ射线双晶衍射看到，除了硅的（４００）峰和（２００）峰以外，只在２θ为４５°处有一个低而宽的小峰．ＸＰＳ谱给出氧的１ｓ峰位为５３２．３ｅＶ，Ａｌ的２ｐ峰位为７５．４ｅＶ，将他们与α－Ａｌ２Ｏ３比较，对应峰位移动了约３．５ｅＶ．俄歇谱说明其铝氧组分比近于γ－Ａｌ２Ｏ３．说明在我们实验室里确实长出单晶γ－Ａｌ２Ｏ３薄膜，与衬底的结晶关系是（１００）γ－Ａｌ２Ｏ３／／（１００）Ｓｉ，［０１０］γ－Ａｌ２Ｏ３／／［０１０］Ｓｉ．
【作者单位】：中国科学院半导体研究所
【基金】：国家计委“八五”重大基金,国家计委“九五”重大基金
【分类号】：TN304.054
【DOI】：cnki:ISSN:0253-4177.0.1998-12-001
【正文快照】：
１引言蓝宝石外延硅（ＳＯＳ）是绝缘衬底上外延硅（ＳＯＩ）最好的成功例子，用它制作的器件优点很多，如集成度高、速度快、功耗低、无自锁效应和抗辐照等，一般材料无可比拟．但蓝宝石硬度大、难加工，用ＳＯＳ制作的器件成本高，难以在普通民用工业中广泛应用，因而限制了它在市场中的竞争能力．为此，材料科学工作者积极寻求新的器件基底材料作为ＳＯＳ材料的第二代替代品，如Ｓｉ／ＭｇＯ·Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ／ＹＳＺ等相继报道，但它们的结晶质量不如蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３）；另一种想法是将结晶质量完美的硅作为基底材料，在其上外…
|
|
| 作者：221.13.18.* （2009/1/6 23:49:59） |
回复此贴 |
|
| |
回复:昝姓发表各种类论文、著作 为社会科学发展贡.. |
第 43 楼 |
《半导体学报》2004年07期 加入收藏 获取最新
双异质外延Si/Al_2O_3/Si薄膜制作的CMOS器件
昝育德,王俊,李瑞云,韩秀峰,王建华,于芳,刘忠立,王玉田,王占国,林兰英
报道了利用高真空 MOCVD外延生长 γ氧化铝的技术和利用 SOS CMOS的成熟工艺制作双异质外延 Si/ γ-Al2 O3/ Si单晶薄膜以及用其研制 Si/ γ- Al2 O3/ Si CMOS场效应晶体管、Si/ γ- Al2 O3/ Si CMOS集成电路的初步结果
【作者单位】：中国科学院半导体研究所 北京100083 (昝育德;王俊;李瑞云;韩秀峰;王建华;于芳;刘忠立;王玉田;王占国);中国科学院半导体研究所 北京100083(林兰英)
【关键词】：外延;CMOS;SOS
【分类号】：TN432
【DOI】：cnki:ISSN:0253-4177.0.2004-07-015
【正文快照】：
1 引言在蓝宝石上外延硅( SOS) [1 ] ,已成为绝缘衬底上外延硅( SOI)工艺成功的最好例子,用它可以制作各种场效应晶体管( MOS)以及SOS CMOS集成电路.SOS CMOS器件具有没有pn结隔离、集成度高、功耗低、寄生电容小、速度快、无自锁效应、抗辐照等优点,一般材料无可比拟.但蓝宝石硬度大,加工蓝宝石衬底片所需设备技术含量高,因此,用SOS制作的器件成本高,限制了它在市场中的竞争能力,因而难以在普通民用工业中广范应用.为此,材料科学工作者不得不把注意力转向寻求新的器件基底材料,相继有异质外延Si/Mg O·Al2 O3 [2 ]、Si/YSZ[…
|
|
| 作者：221.13.18.* （2009/1/6 23:51:38） |
回复此贴 |
|
| |
回复:昝姓发表各种类论文、著作 为社会科学发展贡.. |
第 44 楼 |
《中国科学E辑》1998年01期 加入收藏 获取最新
Al_2O_3/Si(001)衬底上GaN外延薄膜的制备
汪连山;刘祥林;昝育德;汪度;王俊;陆大成;王占国
利用低压金属有机物化学气相沉积方法在Al2 O3 /Si( 0 0 1 )衬底上制备出了六方结构的GaN单晶薄膜 .厚度为 1 .1 μm的GaN薄膜的 ( 0 0 0 2 )X射线衍射峰半高宽是 72arcmin ,薄膜的玛赛克 (mosaic)结构是X射线衍射峰展宽的主要原因 .室温下GaN光致发光谱的带边峰位于 36 5nm .
【作者单位】：中国科学院半导体研究所!北京100083
【关键词】：氮化镓外延薄膜的制备;Al_2O_3/Si(001)衬底;金属有机物化学气相沉积;光致发光谱
【基金】：国家“八六三”计划资助项目;“八五”科技攻关资助项目
【分类号】：O484
【DOI】：cnki:SCN:11-3757.0.1998-01-005
【正文快照】：
氮化镓室温下的直接能带隙宽度是3.39ｅＶ,它能应用于制作蓝光、紫光、紫外光二极管和激光管等发光器件和高温电子器件[1～3],因此近年来ⅢⅤ族氮化物材料已成为半导体材料领域的热点之一,由于使用氮化镓或氮化铝缓冲层,外延氮化镓薄膜的质量显著改进[4,5].对掺镁氮化镓进行低
|
|
| 作者：221.13.18.* （2009/1/6 23:55:04） |
回复此贴 |
|
| |
回复:昝姓发表各种类论文、著作 为社会科学发展贡.. |
第 45 楼 |
《半导体学报》2004年07期 加入收藏 获取最新
双异质外延Si/Al_2O_3/Si薄膜制作的CMOS器件
昝育德,王俊,李瑞云,韩秀峰,王建华,于芳,刘忠立,王玉田,王占国,林兰英
报道了利用高真空 MOCVD外延生长 γ氧化铝的技术和利用 SOS CMOS的成熟工艺制作双异质外延 Si/ γ-Al2 O3/ Si单晶薄膜以及用其研制 Si/ γ- Al2 O3/ Si CMOS场效应晶体管、Si/ γ- Al2 O3/ Si CMOS集成电路的初步结果
【作者单位】：中国科学院半导体研究所 北京100083 (昝育德;王俊;李瑞云;韩秀峰;王建华;于芳;刘忠立;王玉田;王占国);中国科学院半导体研究所 北京100083(林兰英)
【关键词】：外延;CMOS;SOS
【分类号】：TN432
【DOI】：cnki:ISSN:0253-4177.0.2004-07-015
【正文快照】：
1 引言在蓝宝石上外延硅( SOS) [1 ] ,已成为绝缘衬底上外延硅( SOI)工艺成功的最好例子,用它可以制作各种场效应晶体管( MOS)以及SOS CMOS集成电路.SOS CMOS器件具有没有pn结隔离、集成度高、功耗低、寄生电容小、速度快、无自锁效应、抗辐照等优点,一般材料无可比拟.但蓝宝石硬度大,加工蓝宝石衬底片所需设备技术含量高,因此,用SOS制作的器件成本高,限制了它在市场中的竞争能力,因而难以在普通民用工业中广范应用.为此,材料科学工作者不得不把注意力转向寻求新的器件基底材料,相继有异质外延Si/Mg O·Al2 O3 [2 ]、Si/YSZ[…
推荐 CAJ下载 PDF下载
CAJViewer7.0阅读器支持所有CNKI文件格式，AdobeReader仅支持PDF格式
CMOS Device Fabricated from Si/Al_2O_3/Si
Zan Yude;Wang Jun;Li Ruiyun;Han Xiufeng;Wang Jianhua;Yu Fang;Liu Zhongli;Wang Yutian;Wang Zhanguo and Lin Lanying(Institute of Semiconductors;The Chinese Academy of Sciences;Beijing 100083;China)
This paper reports making the double hetero epitaxial Si/γ Al 2O 3/Si single crystal films using a home made high vacuum system with 2×10 -4 Pa and using these films to manufacture MOSFETs and integrated circuit at the first step.
【Keyword】：epitaxy;CMOS;SOS
|
|
| 作者：221.13.18.* （2009/1/6 23:59:31） |
回复此贴 |
|
|
|
